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    DCR106-3 参数 Datasheet PDF下载

    DCR106-3图片预览
    型号： DCR106-3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 影响的敏感性门可控硅整流器电压范围技术参数 - 100至600伏 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS VOLTAGE RANGE - 100 to 600 Volts]
    分类和应用： 可控硅整流器
    文件页数/大小： 1 页 / 53 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    分立半导体
    DCR106-3
    THRU
    DCR106-8
    敏感门可控硅整流器技术规范
    电压范围 - 100〜 600伏
    电流 - 4.0安培
    描述
    *带IC和MOS器件直接驱动
    *特点专有的，无空隙的玻璃钝化芯片
    *可提供额定电压为100〜 600伏
    *敏感门极触发电流
    *专为高容量，线路供电控制
    继电器灯驱动器，小型马达控制应用，
    对于大型晶闸管门极驱动器
    TO-126
    .304(7.72)
    .285(7.52)
    .105(2.66)
    .095(2.41)
    钉扎
    1 =正极，2 =阳极，3 =门
    .041(1.05)
    .037(0.95)
    o
    .154(3.91)
    .150(3.81)
    .055(1.39)
    .045(1.14)
    .152(3.86)
    .138(3.50)
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    特征
    重复峰值断态
    电压和反向电压
    DCR106-3
    DCR106-4
    DCR106-6
    DCR106-8
    C)
    等级
    100
    200
    400
    600
    4.0
    25
    1.0
    0.5
    0.1
    -40到+110
    -40到+150
    单位
    V
    符号
    V
    DRM
    ,
    V
    RRM
    I
    T（ RMS ）
    I
    TSM
    I
    GM
    P
    GM
    P
    G（ AV ）
    T
    J
    T
    英镑
    .279(7.09)
    .275(6.99)
    1
    2 3
    3 ，典型值
    .052(1.32)
    .048(1.22)
    3 ，典型值
    o
    o
    开启状态RMS电流
    (T
    A
    =57
    o
    C, 180
    o
    导通角）
    峰值不重复浪涌电流
    （ 1/2周期，正弦波60赫兹）
    正向栅极峰值电流
    正向峰值门功耗
    正向平均门功耗
    工作结温
    储存温度
    .620(15.75)
    .600(15.25)
    A
    A
    A
    W
    W
    o
    o
    .032(0.81)
    .028(0.71)
    .189(4.80)
    .171(4.34)
    .022
    典型值
    (0.55)
    3 ，典型值
    o
    3 ，典型值
    o
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    峰值重复正向或反向
    断态电流阻断
    正向峰值通态电压
    连续直流门极触发电流
    连续直流门极触发电压
    DC保持电流
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    T
    J
    =25 C
    T
    J
    =110 C
    o
    o
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8.0
    2.2
    3.0
    最大
    10
    200
    2.0
    200
    0.8
    5.0
    -
    -
    -
    单位
    µA
    V
    µA
    V
    mA
    V / μs的
    微秒
    o
    测试条件
    V
    AK
    =额定V
    DRM
    或V
    RRM
    R
    GK
    =1KΩ
    I
    TM
    = 4A峰值
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    R
    GK
    =1KΩ
    R
    GK
    =1KΩ
    I
    GT
    =10mA
    -
    I
    DRM
    , I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    V
    GT
    I
    H
    dv / dt的
    T
    gt
    R
    θJC
    爆击率-的高层断态电压
    门受控的接通时间（t
    D
    +t
    R
    )
    热阻，结到外壳
    C / W

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