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    DCR100-3 参数 Datasheet PDF下载

    DCR100-3图片预览
    型号： DCR100-3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 影响的敏感性门可控硅整流器电压范围技术参数 - 100至600伏 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS VOLTAGE RANGE - 100 to 600 Volts]
    分类和应用： 可控硅整流器
    文件页数/大小： 1 页 / 216 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    分立半导体
    DCR100-3
    THRU
    DCR100-8
    敏感门可控硅整流器技术规范
    电压范围 - 100〜 600伏
    电流 - 0.8安培
    描述
    *带IC和MOS器件直接驱动
    *特点专有的，无空隙的玻璃钝化芯片
    *可提供额定电压为100〜 600伏
    *敏感门极触发电流
    *专为高容量，线路供电控制
    继电器灯驱动器，小型马达控制应用，
    对于大型晶闸管门极驱动器
    TO-92
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    o
    o
    钉扎
    1 =阴极， 2 =门， 3 =阳极
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    重复峰值断态
    电压和反向电压
    DCR100-3
    DCR100-4
    DCR100-6
    DCR100-8
    符号
    V
    DRM
    ,
    V
    RRM
    I
    T（ RMS ）
    I
    TSM
    I
    GM
    P
    GM
    P
    G（ AV ）
    V
    GRM
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    100
    200
    400
    600
    0.8
    8
    0.8
    0.1
    0.01
    6.0
    -40到+110
    -40到+150
    单位
    V
    2典型值
    .500
    民
    (12.70)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    开启状态RMS电流
    (T
    A
    =57
    o
    C, 180
    o
    导通角）
    峰值不重复浪涌电流
    （ 1/2周期，正弦波60赫兹）
    正向栅极峰值电流（ 3μ秒）
    正向峰值门功耗
    正向平均门功耗
    反向峰值电压门
    工作结温
    储存温度
    .050
    典型值
    (1.27)
    A
    A
    A
    W
    W
    V
    o
    o
    3 2 1
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    .050
    典型值
    o
    o
    5典型值5典型值（ 1.27 ）
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    峰值重复正向或反向
    断态电流阻断
    正向峰值通态电压
    连续直流门极触发电流
    连续直流门极触发电压
    DC保持电流
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    T
    A
    =25 C
    T
    A
    =125 C
    o
    o
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5
    2.2
    75
    最大
    10
    200
    1.7
    200
    0.8
    10
    -
    -
    -
    单位
    µA
    V
    µA
    V
    mA
    V / μs的
    微秒
    o
    测试条件
    V
    AK
    =额定V
    DRM
    或V
    RRM
    R
    GK
    =1KΩ
    I
    TM
    = 0.8A峰值，T
    C
    =25
    o
    C
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    R
    GK
    = 1KΩ ，门打开
    R
    GK
    = 1KΩ ，门打开
    I
    GT
    =10mA
    -
    I
    DRM
    , I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    V
    GT
    I
    H
    dv / dt的
    T
    gt
    R
    θJC
    爆击率-的高层断态电压
    门受控的接通时间（t
    D
    +t
    R
    )
    热阻，结到外壳
    C / W

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