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DC9018图片预览
型号: DC9018
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内容描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 213 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
DC9018
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为AM / FM放大器和本地使用
振荡器FM / VHF调谐器。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
等级
30
15
5
50
10
400
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
(1)
30
15
5
-
-
28
700
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
1100
1.3
最大
-
-
-
50
0.5
270
-
1.7
单位
V
V
V
nA
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=100µA
V
CB
=12V
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 1mA时, V
CE
=5V
I
C
= 5毫安,V
CE
=5V
V
CB
= 10V ,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
C
ob
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
D
28~45
E
39~60
F
54~80
G
72~108
H
97~146
I
132~198
J
180~270