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    DC8550S 参数 Datasheet PDF下载

    DC8550S图片预览
    型号： DC8550S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 240 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
     浏览型号DC8550S的Datasheet PDF文件第2页  
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    DC8550S
    分立半导体
    作者PNP外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为通用放大器应用。
    TO-92
    钉扎
    1 - 发射极
    2 - 基
    3 - 集电极
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    2典型值
    .500
    民
    (12.70)
    o
    o
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    o
    C)
    等级
    -25
    -20
    -5
    -700
    625
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    o
    o
    符号
    .050
    典型值
    (1.27)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    3 2 1
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    .050
    o
    o
    5
    典型值。
    5
    典型值。
    （ 1.27 ） TYP
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    C
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    (1)
    民
    -25
    -20
    -5
    -
    -
    -
    85
    -
    150
    -
    2%
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    170
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    -1
    -0.6
    -1
    500
    -
    -
    10
    单位
    V
    V
    V
    µA
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    =-10µA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-10µA
    V
    CB
    =-20V
    I
    C
    = -0.5A ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -150mA ，V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = -150mA ，V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = -20mA ，V
    CE
    = -10V ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿Volatge
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    f
    T
    跃迁频率
    输出电容
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    C
    ob
    380μs ，占空比
    分类h及
    FE1
    秩
    范围
    B
    85~160
    C
    100~200
    D
    150~300
    E
    250~500

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