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    2SD1616A 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1616A图片预览
    型号： 2SD1616A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者： NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 232 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2SD1616A
    分立半导体
    作者： NPN外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为音频功率放大器和
    中速开关应用。
    TO-92
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    2典型值
    o
    o
    钉扎
    1 - 发射极
    2 =收藏家
    3 = BASE
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    总功耗
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    120
    60
    6
    1
    2
    750
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    o
    C
    o
    .500
    民
    (12.70)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .050
    典型值
    (1.27)
    3 2 1
    .050
    o
    o
    5
    典型值。
    5
    典型值。
    （ 1.27 ） TYP
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿Volatge
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    跃迁频率
    输出电容
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    (1)
    (1)
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    (1)
    民
    120
    60
    6
    -
    -
    -
    -
    0.6
    135
    81
    100
    -
    -
    -
    -
    2%
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    0.15
    0.9
    -
    -
    -
    160
    -
    0.07
    0.95
    0.07
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    0.3
    1.2
    0.7
    600
    -
    -
    19
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    pF
    µS
    µS
    µS
    测试条件
    I
    C
    =100µA
    I
    C
    =1mA
    I
    E
    =10µA
    V
    CB
    =60V
    V
    EB
    =6V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =2V
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =10mA
    V
    BE （OFF）的
    =-2 ~ -3V
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    t
    s
    t
    f
    380μs ，占空比
    分类h及
    FE1
    秩
    范围
    Y
    135~270
    G
    200~400
    L
    300~600

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