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    2SB772S 参数 Datasheet PDF下载

    2SB772S图片预览
    型号： 2SB772S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 213 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2SB772S
    分立半导体
    作者PNP外延平面型晶体管技术规格
    描述
    在0.75W音频输出级设计使用
    放大器，电压调节器，DC-DC转换器和
    继电器的驱动程序。
    TO-92
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    2典型值
    o
    o
    钉扎
    1 - 发射极
    2 =收藏家
    3 = BASE
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    o
    C)
    等级
    -40
    -30
    -5
    -3
    750
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    o
    o
    .500
    民
    (12.70)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    符号
    .050
    典型值
    (1.27)
    3 2 1
    C
    .050
    o
    o
    5
    典型值。
    5
    典型值。
    （ 1.27 ） TYP
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    (1)
    民
    -40
    -30
    -5
    -
    -
    -
    -
    30
    100
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.3
    -1
    -
    160
    80
    55
    最大
    -
    -
    -
    -1
    -1
    -0.5
    -2
    -
    400
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    =-100µA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-10µA
    V
    CB
    =-30V
    V
    EB
    =-3V
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.2A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.2A
    I
    C
    = -20mA ，V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V
    I
    C
    = -0.1A ，V
    CE
    =-5V
    I
    E
    =0, V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    集电极 - 基极击穿Volatge
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿Volatge
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    直流电流增益
    (1)
    (1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE1
    h
    FE2
    f
    T
    C
    ob
    跃迁频率
    输出电容
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    380μs ，占空比
    2%
    分类h及
    FE2
    秩
    范围
    Q
    100~200
    P
    160~320
    E
    200~400

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