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型号: 2SB772D
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内容描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 219 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB772D
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为1W的音频放大器的输出级使用,
电压调节器,DC-DC转换器和继电器驱动器。
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.163(4.12)
.153(3.87)
.044(1.12)
.034(0.87)
.060(1.52)
.050(1.27)
TO-126ML
.146(3.70)
.136(3.44)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流( DC )
总功率耗散(T
C
=25 C)
总功率耗散(T
A
=25 C)
结温
储存温度
o
o
.148(3.75)
.138(3.50)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
-40
-30
-5
-3
-7
-0.6
10
1
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
o
o
.180
典型值
(4.56)
.090
典型值
(2.28)
尺寸以英寸(毫米)
.591(15.0)
.551(14.0)
.056(1.42)
.046(1.17)
.033(0.84)
.027(0.68)
.300(7.62)
.290(7.37)
1 2 3
.084(2.12)
.074(1.87)
.123(3.12)
.113(2.87)
.084(2.14)
.074(1.88)
.027(0.69)
.017(0.43)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
380μs ,占空比
2%
(1)
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-0.3
-1
-
200
80
55
最大
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2
-
400
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-100µA
I
C
=-1mA
I
E
=-10µA
V
CB
=-30V
V
EB
=-3V
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -20mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ,V
CE
=-5V
I
E
=0, V
CB
= -10V , F = 1MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极饱和电压
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
分类h及
FE2
范围
Q
100~200
P
160~320
E
200~400