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型号: 2SA1300
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内容描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 213 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SA1300
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为使用频闪闪光灯和中等功率
放大器应用。
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
TO-92
2典型值
2典型值
o
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
等级
-20
-20
-10
-6
-2
-5
-2
750
+150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-10
-6
-
-
-
-
140
60
-
-
典型值
-
-
-
-
-0.3
-0.83
-
-
140
50
最大
-
-
-100
-100
-0.5
-1.5
1000
-
-
-
单位
V
V
nA
nA
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CE
= -20V ,我
E
=0
V
BE
= -6V ,我
C
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-50mA
I
C
= -2A ,V
CE
=-1V
I
C
= -0.5A ,V
CE
=-1V
I
C
= -2A ,V
CE
=-1V
I
C
= -0.5A ,V
CE
=-1V
V
CE
= -10V , F = 1KHz的,我
E
=0
集电极 - 发射极击穿Volatge
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE1
范围
Y
140~280
GR
200~400
BL
300~600
PE
500~1000