直流分量CO 。 ， LTD 。
R
2N7002
分立半导体
N沟道小信号MOSFET技术规格
描述
设计用于低电压和低电流的应用
如小的伺服电机控制，功率MOSFET
栅极驱动器，以及其它开关应用。
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
钉扎
1 - 门
2 =源
3 =漏极
3
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=1MΩ)
栅源电压（连续）
漏电流（连续，T
C
=25 C)
漏电流（脉冲）
(2)
o
(1)
C)
等级
60
60
20
115
800
200
1.8
-55到+ 150
-55到+ 150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
毫瓦/ C
o
o
o
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
1
2
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
总功耗
o
减免上述25℃
工作结温
储存温度
最大的铅温度，对
10秒Solding目的
.051(1.30)
.035(0.90)
.026(0.65)
.010(0.25)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
C
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
o
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门正向水稻源漏电流
门水稻源反向漏电流
栅极阈值电压
通态漏电流
(2)
(2)
(2)
（在25℃环境温度额定值除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS(on)1
V
DS(on)2
(2)
民
60
-
-
-
1
500
-
-
-
-
80
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
1
100
-100
2.5
-
0.375
3.75
7.5
7.5
-
50
25
5
625
单位
V
µA
nA
nA
V
mA
V
V
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
o
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
GSF
=20V, V
DS
=0
V
GSR
=-20V, V
DS
=0
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
DS
>2V
DS （ ON）
, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
>2V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
-
静态漏源通态电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
(2)
R
DS(on)1
R
DS(on)2
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
热阻，结到环境
C / W
（ 1 ）封装的功耗可能会导致较低的连续漏极电流。
（ 2 ）脉冲测试：脉宽380μs ，占空比2 ％
DCCOM [ DC COMPONENTS ]
