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    2N7000 参数 Datasheet PDF下载

    2N7000图片预览
    型号： 2N7000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道小信号MOSFET技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 1 页 / 216 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2N7000
    分立半导体
    N沟道小信号MOSFET技术规格
    描述
    设计用于低电压和低电流的应用
    如小的伺服电机控制，功率MOSFET
    栅极驱动器，以及其它开关应用。
    TO-92
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    .190(4.83)
    .170(4.33)
    2典型值
    2典型值
    o
    o
    钉扎
    1 - 来源
    2 - 门
    3 =漏极
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    漏源电压
    漏，栅极电压（R
    GS
    =1MΩ)
    栅源电压（连续）
    漏电流（连续，T
    C
    =25 C)
    漏电流（脉冲）
    (1)
    o
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    T
    L
    等级
    60
    60
    20
    200
    500
    350
    2.8
    -55到+ 150
    -55到+ 150
    300
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    o
    毫瓦/ C
    o
    o
    o
    .500
    民
    (12.70)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .148(3.76)
    .132(3.36)
    .022(0.56)
    .014(0.36)
    .050
    典型值
    (1.27)
    总功耗
    o
    减免上述25℃
    工作结温
    储存温度
    最大的铅温度，对
    10秒Solding目的
    3 2 1
    C
    C
    .050
    o
    o
    5
    典型值。
    5
    典型值。
    （ 1.27 ） TYP
    尺寸以英寸（毫米）
    C
    电气特性
    o
    特征
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门正向水稻源漏电流
    门水稻源反向漏电流
    栅极阈值电压
    通态漏电流
    (1)
    (1)
    (1)
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    I
    D（上）
    V
    DS(on)1
    V
    DS(on)2
    (1)
    民
    60
    -
    -
    -
    0.8
    75
    -
    -
    -
    -
    100
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    1
    10
    -10
    3
    -
    0.45
    2.5
    6
    5
    -
    60
    25
    5
    357
    单位
    V
    µA
    nA
    nA
    V
    mA
    V
    V
    Ω
    Ω
    µS
    pF
    pF
    pF
    o
    测试条件
    I
    D
    = 10μA ，V
    GS
    =0
    V
    DS
    =48V, V
    GS
    =0
    V
    GSF
    =15V, V
    DS
    =0
    V
    GSR
    =-15V, V
    DS
    =0
    V
    DS
    = 3V ，我
    D
    =1mA
    V
    DS
    =4.5V, V
    DS
    =10V
    I
    D
    = 75毫安，V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    = 500毫安，V
    GS
    =10V
    I
    D
    = 75毫安，V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    = 500毫安，V
    GS
    =10V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =200mA
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0中，f = 1MHz的
    -
    静态漏源通态电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    (1)
    R
    DS(on)1
    R
    DS(on)2
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    θJA
    2%
    热阻，结到环境
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    380μs ，占空比
    C / W

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