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    2N2955 参数 Datasheet PDF下载

    2N2955图片预览
    型号： 2N2955
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 234 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    2N2955
    分立半导体
    作者PNP外延平面型晶体管技术规格
    描述
    专为功率开关电路，系列
    分流稳压器，输出级和高保真
    放大器器。
    TO-3
    1.573
    最大
    (39.96)
    .875(22.23)
    .759(19.28)
    .450(11.43)
    .250(6.35)
    .480(12.19)
    .440(11.18)
    钉扎
    1 - 基地
    2 - 发射极
    案例 - 集电极
    .135
    最大
    (3.43)
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    基极电流
    总功率耗散（T
    C
    =25 C)
    结温
    储存温度
    o
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    CEV
    V
    EBO
    I
    C
    I
    B
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    -100
    -60
    -70
    -7
    -15
    -
    7
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    o
    o
    .225(5.72)
    .205(5.20)
    .169(4.30)
    .151(3.84)
    .043(1.09)
    .038(0.97)
    1.197(30.40)
    1.177(29.90)
    .681(17.30)
    .655(16.64)
    2
    .440(11.18) 1.050(26.67)
    .420(10.67) 1.011(25.68)
    1
    案例：收藏家
    .169(4.30)
    .151(3.84)
    115
    +200
    -65到+200
    C
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    电气特性
    o
    特征
    集电极 - 发射极可持续Volatge
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CER （ SUS）
    I
    首席执行官
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    (1)
    基射极电压上
    直流电流增益
    (1)
    第二击穿集电极与
    基地正向偏压
    电流增益 - 带宽积
    小信号电流增益
    小信号电流增益截止频率
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
    300μS ，占空比
    (1)
    民
    -60
    -70
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    5
    -2.87
    2.5
    15
    10
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -0.7
    -1
    -5
    -5
    -1.1
    -3
    -1.5
    70
    -
    -
    -
    120
    -
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mA
    V
    V
    V
    -
    -
    A
    兆赫
    -
    千赫
    测试条件
    I
    C
    = -0.2A ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -0.2A ，R
    BE
    =100Ω
    V
    CE
    = -30V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    =-100V, V
    BE （OFF）的
    =-1.5V
    V
    CE
    =-100V, V
    BE （OFF）的
    = -1.5V ，T
    C
    =150 C
    V
    BE
    = -7V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-0.4A
    I
    C
    = -10A ，我
    B
    =-3.3A
    I
    C
    = -4A ，V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -4A ，V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    =-4V
    V
    CE
    = -40V ， T = 1.0秒，不重复
    I
    C
    = -0.5A ，V
    CE
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    = -4V中，f = 1KHz的
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    = -4V中，f = 1KHz的
    o
    I
    CEX
    I
    EBO
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    是/ B
    f
    T
    h
    fe
    f
    的hFE
    2%

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