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型号: DS2119M
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内容描述: 的Ultra3 LVD / SE SCSI终结者 [Ultra3 LVD/SE SCSI Terminator]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 168 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS2119M
功能说明
在DS2119结合了LVD和SE终止与DIFFSENS采购和检测。
带隙基准送入两个放大器,它创建了一个1.25V参考电压和2.85V
基准电压。所述控制逻辑确定哪个这些参考文献将被施加到
终端电阻。如果SCSI总线是在LVD模式,则1.25V的参考值将被使用。如果SCSI
总线是在SE模式,则2.85V的参考值将被使用。同样的控制逻辑切换输入/输出
并联电阻相应地改变总的终端电阻。最后,在SE模式下, RP引脚
将被切换到地。
该DIFFSENSE电路解码三元逻辑。会出现在SCSI控制三个电压1
行称为DIFFSENS 。两个比较器和一个与非门确定该电压低于0.6V时,上述
2.15V ,或在两者之间。指示总线的模式是SE, HVD ,或LVD,分别。
该DS2119M的DIFF_CAP销监视DIFFSENS线确定的适当的操作模式
该设备。该DIFFSENSE引脚也可以驱动SCSI DIFFSENS线(当MSTR / SLV = 1)
确定SCSI总线的操作模式。该DS2119M切换到终端模式是
适合于基于所述DIFFSENS电压的值的总线。这些模式包括:
LVD模式:
LVD终端通过精密激光调整电阻串有两个提供
电流源。该结构产生一个105Ω差分和150Ω共模
阻抗。 112mV的故障安全偏置保持在没有驱动器连接到SCSI
总线。
SE模式:
当外部驱动器对于给定的信号线断开时,主动式终端将拉
该信号线到2.85V (静止状态) 。当用活性否定驱动,电源用
安培可吸收每行和基准电压22毫安会比100mV的移动较少。该
终端电阻保持自己的110Ω =价值。
HVD隔离模式:
该DS2119M标识有一个HVD (高电压差分)
设备在SCSI总线上和隔离的总线端接插针。
当ISO = 1 ,终端销从SCSI总线,V分离
REF
保持活动状态。在热
关断时,终止销从SCSI总线和V分离
REF
变为高阻抗。该
在这两种事件DIFFSENSE驱动程序被关闭。
为确保正确的操作, TPWR引脚应连接到SCSI总线终结处理电源线。如
所有模拟电路的终结处理电源和V
DD
线应该在本地旁路。 2.2μF电容
和一个0.01μF高频电容建议TPWR和地之间,并尽可能靠近
尽可能地DS2119M 。该DS2119M应放在尽可能接近到SCSI连接器
以最小化信号和电源迹线长度,从而导致较少的输入电容和反射
这会降低总线信号。
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