DS18B20X
内存
该DS18B20X的存储器被组织成如图7所示的存储器由SRAM的
与非易失性EEPROM存储器的高和低报警触发寄存器暂存器（T
H
和T
L
)
和配置寄存器。注意，如果DS18B20X报警功能没有被使用时，T
H
和T
L
注册
可以作为通用存储器。所有存储器命令进行了详细的描述DS18B20X
功能命令一节。
字节0和暂存器的字节1包含的最低位和温度寄存器的MSB ，
分别。这些字节是只读的。字节2和3提供接入至T
H
和T
L
寄存器。 4个字节
包含配置寄存器中的数据，这将在详细的配置说明
寄存器该数据表的部分。字节5 ， 6和7是由设备保留供内部使用和
不能被覆盖;读取时，这些字节会返回全1 。
暂存器的字节8是只读的，并包含循环冗余校验（CRC ）代码字节0
暂存器7 。该DS18B20X产生使用在CRC中描述的方法，该CRC
发生部分。
数据通过写暂存器[ 4EH ]命令写入字节2 ， 3和4暂存器;数据
必须发送到DS18B20X起始字节2的至少显著位要验证数据
诚信，暂存器可以读（用读暂存器[ BEH ]命令）后的数据是
写的。当读取暂存器，数据传送通过1-Wire总线从最低
显著字节为0的位传输的T
H
, T
L
从暂存器到EEPROM配置数据，
主机必须发出复制暂存器[ 48小时]命令。
在EEPROM中的寄存器中的数据时，该设备被断电时保留;上电时， EEPROM的
数据重新加载到相应的暂存器位置。数据也可以从EEPROM中重新装载
2
暂存器随时使用召回E [ B8H ]命令。主机可以发出读时隙
继召回ê
2
命令和DS18B20X将指示召回的状态通过发送
0而召回正在进行中， 1时召回完成。
DS18B20X存储器映射
cáÖìêÉ = T
暂存器（开机状态）
字节0温度LSB （ 50H ）
字节1温度MSB （ 05H ）
字节2 T
H
注册或使用字节1 *
字节3个T
L
注册或用户字节2 *
4字节的配置寄存器*
5字节保留（ FFH ）
6字节保留（ 0CH ）
7字节保留（ 10H ）
8字节的CRC *
*
电状态取决于存储的值（ S）
在EEPROM
(85°C)
EEPROM
T
H
注册或用户字节1
T
L
注册或使用2个字节
配置寄存器
6 21
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
