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DS1230Y-100 参数 Datasheet PDF下载

DS1230Y-100图片预览
型号: DS1230Y-100
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内容描述: 256K非易失SRAM [256k Nonvolatile SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 215 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1230Y/AB
AC电气特性
(续)
参数
读周期
时间
存取时间
输出
有效
OE
CE
符号
t
RC
t
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
DS1230AB-120
DS1230Y-120
120
120
60
120
5
35
最大
DS1230AB-150
DS1230Y-150
150
150
70
150
5
35
最大
DS1230AB-200
DS1230Y-200
200
200
100
200
5
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
输出
有效
or
CE
to
输出活动
OE
5
5
输出高Z
取消选择
输出保持
从地址
变化
写周期
时间
写脉冲
宽度
地址设置
时间
写恢复
时间
输出高Z
WE
输出活动
WE
数据设置
时间
数据保持时间
t
OH
5
5
5
ns
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
120
90
0
5
15
35
5
50
0
10
150
100
0
5
15
35
5
60
0
10
200
100
0
5
15
35
5
80
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
13
5
5
4
12
13
3
5 12