DS1210
非易失控制器芯片
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特点
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转换的CMOS RAM中到非易失
回忆
无条件写保护时， V
CC
is
外的公差
自动切换到电池时，
电源故障OCCURS
节省空间的8引脚DIP
消耗的电池电流<100nA
测试电池的状况上电
提供冗余电池
可选的5 ％或10 ％的电源失效检测
在V低正向压降
CC
开关
可选择16引脚SOIC表面贴装
包
可选实业（ N）温度范围
-40 ° C至+ 85°C
引脚分配
VCCO
VBAT1
托尔
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCCI
VBAT2
首席执行官
CE
DS1210 8引脚DIP （ 300密耳）
见机甲。图科
NC
VCCO
NC
VBAT1
NC
托尔
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
VCCI
NC
VBAT2
NC
首席执行官
NC
CE
DS1210S 16引脚SOIC （ 300密耳）
见机甲。图科
引脚说明
V
CCO
V
BAT1
托尔
GND
CE
首席执行官
V
BAT2
V
CCI
NC
- 内存供应
- +电池1
- 电源容差
- 地面
- 芯片使能输入
- 芯片使能输出
- +电池2
- +电源
- 无连接
描述
在DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，它解决了该应用程序的问题
CMOS RAM转换到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的容忍
条件。当检测到这样的状态下，芯片使能受到抑制，以实现写保护和
电池接通，以提供不间断电源的RAM 。特殊的电路采用的是低
漏电CMOS工艺，能提供精确的电压检测在极低的电池消耗。
8引脚DIP封装保持PC板地产的需求降到最低。通过组合
DS1210非易失控制器芯片与CMOS存储器和电池，非易失性RAM运行
可以实现的。
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090503
DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
