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DS1210 参数 Datasheet PDF下载

DS1210图片预览
型号: DS1210
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内容描述: 非易失控制器芯片 [Nonvolatile Controller Chip]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 6 页 / 133 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1210
手术
在DS1210非易失控制器执行5需要电池备份一个RAM电路的功能。
首先,将开关从电池或输入电源(V提供到直接功率
CCI
)根据
这是更大的。此开关具有小于0.3V的电压降。所述第二函数的
非易失性控制器提供的掉电检测。在DS1210持续监视传入
供应量。当供应超出公差的精密比较器检测电源失效,抑制芯片
启用(
首席执行官
) 。写保护的第三个功能是通过保持完成
首席执行官
输出信号
在0.2伏的V
CCI
或电池供电。如果
CE
输入为低电平电源故障检测发生的时间,
首席执行官
输出被保持在其当前的状态,直到
CE
返回高。写保护的,直到延迟
完成目前的存储周期防止数据的损坏。掉电检测发生在
4.75伏至4.5伏的公差引脚3的范围接地。如果引脚3连接到V
CCO
,然后
掉电检测发生在4.5伏到4.25伏的范围内。在标称电源条件
首席执行官
将遵循
CE
用20ns的最大传播延迟。第四个功能的DS1210
执行是使得避免潜在的数据丢失的电池状态的警告。每次该电路是
电电池的电压,检查用精密比较器。如果电池电压低于
2.0伏,第二存储器周期被抑制。电池状态可以,因此,被确定
执行一个读周期上电后在内存中的任何位置,验证内存位置
内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器位置改变数据。如果
下一个读周期未能验证写入的数据,则该电池是低于2.0V和数据是在
危险被损坏。非易失性控制器的第五功能提供了用于电池
冗余。在许多应用中,数据的完整性是非常重要的。在这些应用中,通常希望
使用两个电池,以确保可靠性。在DS1210控制器提供了一个内部隔离开关,
允许两块电池的连接。在电池备份操作电池具有最高
电压被选择使用。如果电池出现故障,另一个将接管负载。切换到一
多余的电池来说是透明的电路操作和给用户。会出现电池状态警告
当电池在使用低于2.0伏。接地的V
BAT2
引脚将不会激活电池失效
警告。在不需要电池的冗余应用,单个电池应连接到
在BAT1引脚。该BAT2电池引脚必须接地。非易失性控制器包含电路
关闭的备用电池。这是为了维持电池(多个)在其最高容量,直到设备是
接通电源且有效数据被写入到SRAM中。而在保鲜模式
首席执行官
和V
CCO
将被强制到V
OL
。当电池被首先连接到一个或两个Ⅴ的
BAT
销,V
CCO
不会
提供后备电池直至V
CCI
超过V
CCTP
由T作为集
OL
针,然后低于V
BAT
.
图1显示了一个典型的应用程序集成于一个微处理器为基础的系统的DS1210 。部分
A显示必要的连接来写的时候保护RAM V
CC
小于4.75伏,背
与电池的电源。 B部分显示了使用DS1210时停止处理器V
CC
is
小于4.75伏特,并推迟其上电重启,以防止误写。
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