多相扩频EconOscillator
DS1094L
非易失存储器特性
（VCC = + 3.0V至3.6V ，除非另有说明。 ）
参数
EEPROM写入
符号
+ 70 ° C（注4 ）
条件
民
10,000
典型值
最大
单位
注1 ：
所有电压参考地。
注2 ：
这是在输出频率中观察到的变化是由于温度的变化或电压。
注3 ：
这是输出周期的百分比。参数的特点，但不是生产测试。这可以从被改变
2％，4 ％或8％。
注4 ：
此参数为设计保证。
注5 ：
这表明之间电和成为有源输出端的时间。芯片上延迟是有意引入到
让振荡稳定。吨
刺
相当于大约64女性
MOSC
周期，因此，将取决于亲
编程的时钟频率。
注6 ：
显示时间是快速模式（ 400kHz的）操作。该器件还向下兼容我
2
C标准模式的时序。
注7 ：
CB-总在皮法总线上的电容。
注8 ：
典型的频移，由于老龄化是± 0.5 ％ 。老化强调包括1级潮湿回流预处理（ 24小时
+ 125 ℃下烘烤， 168小时85 ℃/ 85 ％RH下的水分浸泡，和3回流焊经过240 + 0 / -5 ℃的峰），然后加入1000小时最大值
V
CC
偏置125°C HTOL ， 1000温度循环，在-55 ° C至+ 125°C ， 168小时和121℃ / 2 ATM蒸汽/偏高压灭菌。
典型工作特性
(V
CC
= + 3.3V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
电源电流与电源电压
f
OUT
= 1MHz时， 2φ模式
DS1094L TOC01
电源电流与频率的关系
V
CC
= 3.3V ， 2φ模式
DS1094L toc02
占空比 - 电源电压
f
OUT
= 2MHz的， 2φ模式
DS1094L toc03
1.50
2.5
51.00
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
1.25
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
1.00
T
A
= -40°C
0.75
2.0
50.75
占空比（ ％ ）
T
A
= +25°C
50.50
T
A
= +85°C
1.0
1.5
0.5
50.25
T
A
= -40°C
0.50
3.00
3.15
3.30
3.45
3.60
电源电压（ V）
0
0.1
1.00
FOUT （兆赫）
10.00
50.00
3.00
3.15
3.30
3.45
3.60
电源电压（ V）
4
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
