FE乌尔ES
5 0 - 500兆赫
不反光
TTL驱动程序
表面贴装封装
型号
ð S0778
PI N D IO D E S·P 4牛逼
SP4T
部分
鉴定
1.560
1.36
.100典型值
0.040 TYP
24
13
RF2
24
.20
.015
（法兰）
RF3
13
RF COM
6
RF1
1
RF4
12
50
Ω
.375 TYP
0.60 TYP
.77
50
Ω
50
Ω
50
Ω
•
•
••••••••••••
•
1
12
.100典型值
1.100
对比示范
彩珠
0.053 ř TYP
.015±.002
典型值
.x x = .0 2
.x x x = .0 1 0
.010±.002
典型值
（铅）
18 21 16 19
2 3 4 5 7 8 9 10 11 14 15 22 23
CONT 2
CONT 3
GND
“0” +5V
“0”
-12V
17
CONT 1
“1”
20
CONT 4
“0”
ISO （ dB）的
I.L. （ dB）的
VSWR
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
TYP我CA L P将ê的R F Ø ř MA ñ权证
在25℃下
ISO
参数
工作频率
直流电流
控制型
最小典型最大单位
50
7
6
TTL
500
15
15
兆赫
mA
mA
条件
在+5 VDC电源
在-12 VDC电源
4号线
逻辑“0” =关闭
逻辑' 1 ' =上
VIH = + 2.7V
VIL = + 0.5V
50 - 300兆赫
300 - 500兆赫
端口200之间 - 300兆赫
50 - 300兆赫
300 - 500兆赫
2.00
2.0
80
1.75
1.5
60
控制电流
1.50
1.0
40
一损失
高
低
插入损耗
振幅跟踪
1.25
0.5
20
VSWR
隔离
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
55
45
1.0
0
0
10
40
100
400
1000
频率（MHz）
射频功率
操作
无损伤
0
0
1.0
1.1
0.06
62
52
1.1/1
50
0.5
115
490
+61
+36
+20
+25
±20
±20
1.25
1.4
0.50
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
欧
微秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
1.5/1
1.0
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
125兆赫/ 150兆赫
62.5兆赫/ 59 MHz的
0.1分贝压缩
TA
工作温度
-55
+10
+23
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
