FE ATU RE S
5 - 1 000 MHz的
75分贝隔离
高截点
0.7毫安， +5 VDC
TTL驱动程序
不反光
14引脚表面贴装封装
见DS0842 14引脚DIP版本
"0"
控制GND
13
14
型号
ð S0742
砷化镓SP2T
SP2T
部分
鉴定
1.060
GND
12
RF COM
11
GND
10
N / C
9
+5V
8
•
.20
.100
典型值
.86
0.015 TYP
（法兰）
•
50
Ω
50
Ω
.053 R
典型值
14
8
.30
典型值
1
7
.47
• • •
1
RF1
2
GND
3
GND
4
GND
•
5
GND
6
GND
7
RF2
.040
典型值
对比示范
彩珠
.100
典型值
.600
.015±.002
典型值
.010±.002
典型值
（铅）
N / C =无内部连接
摹ü AR ANTE E D P e射频ORMA NCE
ISO （ dB）的
参数
最小典型最大单位
5
0.7
TTL
1000
1.0
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
1号线
逻辑“0” = 11 PIN对PIN 1
逻辑“1” = 11 PIN对PIN 7
VIH = + 3.0V
VIL = + 0.5V
5 - 300 MHz的
300 - 1000兆赫
5 - 300 MHz的
300 - 1000兆赫
I.L. （ dB）的
典型IC AL P ER ˚F Ø RM A N权证
在25℃下
2.2
2.0
100
工作频率
直流电流
控制型
VSWR
控制电流
1.9
1.5
75
ISO
高
低
插入损耗
隔离
60
50
1.6
1.0
50
一损失
1.3
0.5
25
VSWR
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
1.0
0
0
1
4
10
40
100
400
1000
3000
射频功率
频率（MHz）
操作
无损伤
+3.5
+0.8
1.1
1.6
75
58
1.2/1
50
45
40
50
+78
+54
+14
+25
±10
±10
1.7
2.2
µA
µA
dB
dB
dB
dB
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
1.4/1
70
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
500兆赫/ 300兆赫
250兆赫/ 300兆赫
0.1分贝压缩
TA
工作温度
-55
+10
+30
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
ISS 。 2
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
