FE乌尔ES
10 - 1000兆赫
0.8毫安， +5 VDC
1分贝LSB ， 15分贝范围
20 nSec的开关速度
12 nSec的上升时间
TTL控制
12引脚TO- 8封装
见DA0784-1对于表面贴装封装
型号
DA 0984- 1
砷化镓4段衰减器
4位
部分
鉴定
.55
迪亚
RF
IN / OUT
7
8分贝
4分贝
2分贝
1分贝
RF
输出/输入
3
•
.20
.25
•
•
•
•
•
•
•
.60
.100
典型值
0.018 ± 0.002 DIA
12个地方
12
1
2,4-6,8 9
10
GND + 5V CONT 4
8分贝
"1"
11
CONT 3
4分贝
"0"
12
CONT 2
2分贝
"0"
1
CONT 1
1分贝
"0"
.200
典型值
45˚
.200
.400
摹ü ARANT ê ED P ERF或MANCE
参数
最小典型最大单位
10
0.8
TTL
1000
2.0
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
4号线
逻辑“0” =直通
逻辑“1”=衰减
VIH = 2.7伏特
VIL = 0.5伏特
兆赫
1, 2, 4, 8
0.15分贝安泰信+ 2％ 。
以dB为单位设置
-0.35分贝安泰信+ 2％ 。
以dB为单位设置
TYPI CA L P将e射频Ø ř MA ñ权证
一吨2 5
°C
工作频率
直流电流
控制型
2.2
3.0
I.L. （ dB）的
VSWR
控制电流
2.0
2.5
高
低
1.8
2.0
I.L. （ dB）的
插入损耗
衰减
最低位
范围
准确性
0
0
1.9
1
15
±20
±20
2.5
µA
µA
dB
dB
dB
dB
1.6
1.5
1.4
1.0
VSWR
1.2
0.5
1.0
0
1
4
10
40
100
频率（MHz）
400
1000
3000
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
射频功率
操作
无损伤
1.2/1
50
20
12
48
+54
+38
+9
+14
-55
+25
1.6/1
30
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50％的TTL - 90 ％/ 10％的射频
10％ / 90％ - 90 ％/ 10％的射频
峰值
70兆赫/ 50 MHz的
35兆赫/ 50 MHz的
0.1分贝压缩
（ <50兆赫）
0.1分贝压缩
（ >50兆赫）
TA
工作温度
+6
+10
+23
+85
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
版本C / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
