FE乌尔ES
30 - 300兆赫
1分贝LSB ， 31分贝范围
恒定的相位
2.2分贝插入损耗
+37 dBm的三阶截取
TTL驱动程序
38引脚DIP
部分
鉴定
2.00最大
RF
IN / OUT
38
RF
GND
接地输入/输出
37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21
20
型号
D A 0659
PIN二极管5段衰减器
5位
• • • • • • • •• • • • • • • •
.24
.20
16分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
•
1.800
对比示范
彩珠
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
0.018 ± 0.002 DIA
38景点
.100典型值
•
19
•
4
5
16dB
"0"
6
7
1dB
"1"
8
9
2dB
"1"
10
11
4dB
"1"
12
13
8dB
"1"
14 15 16 17 18 19
GND
1
.800
38
20
2
3
1.00最大
+ 5V GND GND GND GND CONT1 CONT2
GND CONT3 GND CONT4 GND接地CONT5
.xx = .02
.xxx = .010
摹ü AR ANT EE ð P e射频ORMA NCE
I.L. （ dB）的
VSWR
TYPICA L PE RF Ø RM A N权证
在25℃下
参数
工作频率
直流电流
控制型
最小典型最大单位
30
50
TTL
300
60
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
5号线
逻辑“0” =衰减
逻辑“ 1”=直通
VIH = 2.7 V
VIL = 0.5 V
100 - 200兆赫
1, 2, 4, 8, 16
±
（ 0.15分贝
±
2 ％安泰信的。
以dB为单位设定）
30 - 70 MHz的
70 - 150兆赫
150 - 200兆赫
200 - 300兆赫
2.5
4.0
2.2
3.5
控制电流
1.9
3.0
高
低
插入损耗
衰减
最低位
范围
1.0
1.0
2.2
1
0
±10
±10
3.0
31
1.6
2.5
准确性
µA
µA
dB
dB
dB
dB
度
度
度
度
欧
微秒
纳秒
V
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
相比。衰减
一损失
1.3
2.0
VSWR
1.0
1.5
10
40
100
400
1000
频率（MHz）
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
射频功率
操作
无损伤
1.1/1
50
0.6
90
1.0
+70
+37
+14
-55
+25
±1.25
±1.88
±2.50
±3.13
1.22/1
1
工作温度
+10
+27
+125
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
34.8兆赫/ 52.2兆赫
69.6兆赫/ 52.2兆赫
0.1分贝压缩
TA
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
版本A / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
