FE ATU RE S
5 - 4000兆赫
4 nSec的过渡时间
27 nSec的开关速度
TTL驱动程序
不反光
可更换的SMA连接器
型号
Ç DS08 82
砷化镓SP2T
SP2T
.10
.10
.25
.800
部分鉴定
J3
J3
1.300
1.00±.03
1.50±.03
J1
50
Ω
.15±.05
LEADS
0.106 DIA THRU
4名额
0.25 TYP
1.00±.03
0.025 DIA
4名额
连接器
SMA母
3个地方
.20
.06
.xx = .02
.xxx = .010
+5V
CONT
"0"
GND
J1
+5V
CONT
GND
GND
J2
•
•
50
Ω
J2
•
GND
.34
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM ANCE
参数
最小典型最大单位
5
1
TTL
4000
3
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
1号线
逻辑“0” = J3 - J1
逻辑“1”= J3 - J2
VIH = + 3.0V
VIL = + 0.5V
5 - 100兆赫
100 - 1000兆赫
1000至2000年兆赫
2000 - 4000兆赫
5 - 100兆赫
100 - 500兆赫
500 - 1000兆赫
1000至2000年兆赫
2000 - 4000兆赫
ISO （ dB）的
I.L. （ dB）的
VSWR
TY PI CA L P将ê的R F Ø ř MA ñ权证
一吨25
°C
工作频率
直流电流
控制型
1.8
4.0
100
控制电流
插入损耗
高
低
1.6
3.0
75
ISO
隔离
1.4
2.0
50
一损失
1.2
1.0
25
70
60
55
45
35
THRU
终止
VSWR
VSWR
1.0
0
0
1
4
10
40
100
400 1000
4000
频率（MHz）
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
射频功率
操作
无损伤
0
0
1.0
1.2
1.4
2.1
79
69
64
53
44
1.2/1
1.2/1
50
27
4
80
+70
+46
+9
+17
+25
±40
±40
1.5
1.8
2.1
3.2
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
1.4/1
1.4/1
35
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
214兆赫/ 147兆赫
107兆赫/ 127兆赫
0.1分贝比较。低于100 MHz的
0.1分贝比较。在100MHz以上
TA
工作温度
-55
+5
+13
+27
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
ISS 。 2
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
