FE乌尔ES
40 - 800兆赫
空间应用
气密封装
表面贴装
耐辐射， 100千拉德
型号
CAT15066
砷化镓6段衰减器
6位
RF
RF
IN / OUT GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND OUT / IN
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
部分鉴定
1.560
1.36
.100典型值
.040
典型值
24
13
•
16分贝
.20
.015
（法兰）
•
0.5分贝
•
• • •
1分贝
2分贝
•
•
4分贝
•
8分贝
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
.375 TYP
0.60 TYP
1
12
• •
4
5
6
C1
C2
C3
16DB 0.5dB的1DB
7
C4
2DB
8
C5
4DB
9
C6
8DB
10
11
12
GND GND GND
.77
1
+5V
2
3
GND GND
.053 R
典型值
.100典型值
1.100
对比示范
彩珠
.xx = .02
.xxx = .010
.015
±.002
典型值
.010
±.002
典型值
（铅）
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
参数
I.L. （ dB）的
VSWR
最小典型最大单位
40
1
CMOS
800
5
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
6号线
逻辑“0” =直通
逻辑“1”=衰减
3 - 5伏
0 - 0.5伏特
40 - 100兆赫
100 - 800兆赫
0.5, 1, 2, 4, 8, 16
±
安泰信的（ 0.25分贝+ 2 ％
以dB为单位设定）
TYPI CAL P ER ˚F Ø ř MA ñ CE
一吨2 5
°C
工作频率
直流电流
控制型
1.8
8.0
控制电流
插入损耗
1.6
6.0
高
低
衰减
最低位
范围
准确性
0
0
4.2
6.3
0.5
0
±40
±40
5.5
7.5
31.5
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
°C
1.4
4.0
一损失
平整度
1.2
2.0
VSWR
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
0.05
1.18/1
50
22
8
110
+66
+42
+23
+25
±0.2
1.3/1
50
1.0
0
1
4
10
40
100
400
1000
3000
频率（MHz）
+61
+34
射频功率
操作
无损伤
工作温度
0
非工作温度
-34
+10
+27
+65
+95
50％的控制信号
90 ％/ 10％的射频
10％ / 90％或90 ％/ 10％的射频
峰值
五十零分之七十○ MHz的输入
五十○分之九十○ MHz的输入
0.1分贝压缩
TA
TA
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
牧师 - / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
