MMBD101
特点
低导通电压
ForUHFmixerapplication
在检测器和超快还suitablefor使用
切换circuitsLow NoiseFigure- 6.0dBTyp@1.0GHz
非常低Capacitance-LessThan1.0pF@0V
HighForwardConductance-0.5V
(
典型值） @ IF = 10毫安
V
表面贴装肖特基
垒二极管
A
L
2
B·S
1
3
TO P VIEW
G
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见下面图表
重量： 0.008克（约）
安装位置：任意
1
2
C
D
3
H
K
J
3
阴极
1
阳极
SOT-23
暗淡
民
最大
A
2.800 3.040
B
1.200 1.400
C
0.890 1.110
D
0.370 0.500
G
1.780 2.040
H
0.013 0.100
J
0.085 0.177
K
0.450 0.600
L
0.890 1.020
S
2.100 2.500
V
0.450 0.600
单位：mm外形尺寸
最大额定值
MMBD101
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25
o
C
减免上述25
o
C
结温
存储温度范围
器件标识
MMBD101 = 4M
电气特性
反向击穿电压
（ IR = 10广告三）
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MH ）
z
正向电压
(I
F
= 10 MADC ）
反向漏
(V
R
= 3.0伏）
(T
A
= 25
o
Cunless
另有说明）
符号
V
（ BR ）R
C
T
V
F
I
R
民
7.0
典型值
10
0.88
0.5
0.02
1.0
0.6
0.25
最大
单位
伏
pF
伏
ADC
符号
V
R
P
F
TJ
价值
7.0
225
1.8
+150
-55到+150
单位
伏
mW
毫瓦/
C
o
o
o
C
TSTG
C
特征
DAESAN [ DAESAN ELECTRONICS CORP. ]
