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    E13003TO-220 参数 Datasheet PDF下载

    E13003TO-220图片预览
    型号： E13003TO-220
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率晶体管 [POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 5459 K
    品牌： DAESAN [ DAESAN ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号E13003TO-220的Datasheet PDF文件第2页  
    功率晶体管E13003
    开关稳压器的应用
    •高开关速度
    •适用于开关稳压器
    和电机控制
    •案例： TO- 220模压塑体
    Q
    1
    2 3
    TO-220
    ±T ±
    发E阿婷
    P L ANE
    B
    F
    4
    T
    C
    S
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    N
    Q
    R
    S
    T
    U
    V
    Z
    A
    U
    K
    H
    Z
    L
    V
    G
    D
    N
    R
    J
    NPN硅晶体管
    特点
    o
    INC HE S
    民
    最大
    0.570
    0.620
    0.380
    0.405
    0.160
    0.190
    0.025
    0.035
    0.142
    0.147
    0.095
    0.105
    0.110
    0.155
    0.018
    0.025
    0.500
    0.562
    0.045
    0.060
    0.190
    0.210
    0.100
    0.120
    0.080
    0.110
    0.045
    0.055
    0.235
    0.255
    0.000
    0.050
    0.045
    ±±±
    ±±± 0.080
    MIL L IME TE R 5
    民
    最大
    14.48
    15.75
    9.66
    10.28
    4.07
    4.82
    0.64
    0.88
    3.61
    3.73
    2.42
    2.66
    2.80
    3.93
    0.46
    0.64
    12.70
    14.27
    1.15
    1.52
    4.83
    5.33
    2.54
    3.04
    2.04
    2.79
    1.15
    1.39
    5.97
    6.47
    0.00
    1.27
    1.15
    ±±±
    ±±±
    2.04
    TC = 25℃ ，除非另有规定
    参数
    集电极耗散
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    工作和存储结温范围
    符号
    P
    C
    I
    C
    I
    CP
    T
    J
    , T
    英镑
    o
    o
    价值
    20
    1.5
    3
    -55℃至+ 150℃
    o
    单位
    W
    A
    A
    o
    C
    电气特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    下降时间
    贮存时间
    TC = 25℃ ，除非另有规定
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    V
    BE
    f
    T
    t
    f
    t
    s
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 700V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 400V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 9V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =0.5mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =0.5mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =250mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =250mA
    I
    E
    =2A
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =100mA
    f=1MHz
    I
    C
    = 1A ，我
    B1
    =-I
    B2
    = 0.2毫安，
    V
    CC
    =100V
    民
    700
    400
    9
    最大
    单位
    V
    V
    V
    1
    500
    1
    8
    5
    1
    1.2
    3
    5
    0.5
    2.5
    40
    mA
    μ
    A
    mA
    V
    V
    V
    兆赫
    μ
    S
    μ
    S

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