DB4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DB4
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内容描述：	信号双向DIAC [SIGNAL BIDIRECTIONAL DIAC]
分类和应用：	数据判读及分析中心
文件页数/大小：	2 页 / 257 K
品牌：	DAESAN [ DAESAN ELECTRONICS CORP. ]

DB3 / DB4

特点

这三个层，两台终端，轴向引线，

密封单IGBT的设计

专为触发晶闸管。

他们表现出的低导通电流

在导通电压，因为他们承受

峰值脉冲电流。在导通

对称是在三个伏。

这些单IGBT旨在用于在使用中

晶闸管相控，电路的灯

调光，通用电机速度控制，

和热控制

DEC的DB3 / DB4是双向触发时

二极管设计的配合工作

与三端双向可控硅SCR和的

双向信号

DIAC

DO-35(GLASS)

0.075(1.9)

马克斯。

DIA 。

0.102(2.6)

0.091(2.3)

DIA 。

R-1

1.083(27.5)

分钟。

0.787(20.0)

分钟。

0.154(3.9)

马克斯。

0.126(3.2)

0.106(2.7)

0.020(0.52)

马克斯。

DIA 。

1.083(27.5)

分钟。

0.025(0.65)

0.021(0.55)

DIA 。

0.787(20.0)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

绝对额定值（限制值）

符号

TRM

STG /

参数

在打印功耗

Circuit(L=10mm)

重复峰值通态

当前

价值

DB3

=50℃

tp=10μs

F=100Hz

2.0

150

2.0

DB4

单位

℃

存储和工作结温

-40〜+ 125 / -40至110

电气特性

符号

参数

击穿电压（注2 ）

转折电压对称性

动态击穿电压（注1 ）

输出电压（注1 ）

导通电流（注1 ）

上升时间（注1 ）

泄漏电流（注1 ）

测试条件

C=22nF(Note2)

见图1

C=22nF(Note2)

见图1

△I=(I

到我

=10mA)

见图1

见图2

C=22nF(Note2)

见图3

=0.5 V

最大

见图1

民

典型值

最大

民

最大

典型值

最大

价值

DB3

±3

100

1.5

DB4

单位

μA

μS

μA

|±△V|

注意事项：

（1）适用于正向电特性和反向

（2）并联连接的设备

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