CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
规格。编号： C335N3
发行日期： 2003年5月30日
修订日期：
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最高温度
贮藏温度Tstg ............................................... .................................................. .. -65 〜 + 150
°C
结温Tj ............................................................................................................. 150
°C
•
最大功率耗散
总功耗P合计
（注）
.................................................. ......................................... 350毫瓦
•
最大电压和电流
反向重复峰值电压V
RRM
............................................................................................ 300 V
DC阻断电压V
R
………………………………………………………………………….. 240V
RMS反向电压V
R
(
RMS ）
…………………………………………………………………….. 170V
连续正向电流I
F
（注）
..................................................................... 225毫安
峰值重复正向电流I
FRM
（注）
......... .. ................................................ 0.625毫安。
浪涌不重复正向电流I
FSM
@ TP = 1μs的.............................................. .......................... 4A
@ TP = 1秒...... 。 ................................................ 。 1A
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热阻，结到环境空气ř
θJA
……………………………………….……357℃/W
注：零件安装在FR-4板。为双二极管， Ptot的是两个二极管的总功耗。
特征
(Ta=25°C)
特征
反向击穿电压
正向电压
（注）
符号
V
BR
V
F
(1)
V
F
(2)
I
R
(1)
I
R
(2)
C
D
t
rr
条件
I
R
=100µA
I
F
=20mA
I
F
=100mA
V
R
=240V,Tj=25℃
V
R
=240V,Tj=150℃
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 30毫安RL = 100Ω
在IR = 3毫安测
分钟。
300
-
-
-
-
-
马克斯。
-
870
1000
100
100
5
50
单位
V
mV
mV
nA
µA
pF
ns
反向漏电流
（注）
二极管电容
反向恢复时间
笔记
:
脉冲测试， TP = 380μs ，占空比cycle<2 ％ 。
CMBD2004/A/C/SN3
CYStek产品规格
CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
