BTP955J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTP955J3
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内容描述：	PNP外延平面大电流（高性能）晶体管 [PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 180 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

规格。编号： C607J3 -A

发行日期： 2006年6月7日

修订日期：

页页次： 1/5

PNP外延平面大电流（高性能）晶体管

BTP955J3

特点

•

4安培连续电流，由10安培峰值电流

•

极低的饱和电压

•

指定最多3安培出色的增益特性

•

Ptot=3Watts

•

导通电阻，R极低的等效

CE （ SAT ）

=90m

AT 3A

•

无铅封装

符号

BTP955J3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

=25°C

工作和存储温度范围

功耗

注： 1。单脉冲私服≦ 380μs ，占空比≦ 2 ％。

2.当安装在具有最小焊盘尺寸的印刷电路板。

BTP955J3

初步

CYStek产品规格

符号

CBO

首席执行官

EBO

TJ ; TSTG

范围

-120

-100

-6

-4

-10

（注1 ）

-1

（注2 ）

1.75

-55 ~ +150

单位

°C

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