CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE （SAT） 1
VCE （SAT） 2
* VCE （ sat）的3
* VCE （SAT） 4
VBE （SAT） 1
VBE （ sat）的2
* VBE （ sat）的3
VBE （ON）的
1的hFE
2的hFE
* 3的hFE
* 4的hFE
* 5的hFE
fT
COB
分钟。
350
350
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
30
20
15
40
-
典型值。
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-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.3
0.35
0.5
1.0
0.75
0.85
0.9
2
-
-
200
200
-
200
6
单位
V
V
V
n
A
n
A
V
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
兆赫
pF
规格。编号： C231N3
发行日期： 2003年4月12日
修订日期：
页页次： 2/4
测试条件
IC=100
μ
A
IC=1mA
IE=10
μ
A
VCB=250V
VEB=5V
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IC = 30mA时IB = 3毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IC = 30mA时IB = 3毫安
VCE = 10V ， IC =百毫安
VCE = 10V ， IC = 1毫安
VCE=10V,IC=10mA
VCE=10V,IC=30mA
VCE=10V,IC=50mA
VCE=10V,IC=100mA
VCE = 20V ， IC = 10毫安， F = 20MHz的
VCB = 20V ， IE = 0A ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
BTN6517N3
CYStek产品规格
CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
