欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BTN5551A3 参数 Datasheet PDF下载

BTN5551A3图片预览
型号: BTN5551A3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 通用NPN外延平面晶体管 [General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 144 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
 浏览型号BTN5551A3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTN5551A3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTN5551A3的Datasheet PDF文件第4页  
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
1
*V
BE ( SAT )
2
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
f
T
COB
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
52
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.15
0.2.
1
1
-
-
-
390
-
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C208A3
发行日期: 2003年6月6日
修订日期:
页页次: 2/4
测试条件
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=10µA
V
CB
=120V
V
EB
=4V
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 20V ,我
E
=0A,f=1MHz
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
hFE4分类
范围
K
52~120
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
饱和电压--- (MV )
HFE@VCE=6V
电流增益---
的hFE
1000
VCE(SAT)@IC=10IB
饱和电压与集电极电流
100
100
0.1
1
10
100
集电极电流IC --- (MA )
10
0.1
1
10
100
集电极电流IC --- (MA )
BTN5551A3
CYStek产品规格