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    BTN3501F3 参数 Datasheet PDF下载

    BTN3501F3图片预览
    型号： BTN3501F3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 197 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTN3501F3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTN3501F3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTN3501F3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTN3501F3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTN3501F3的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    特征
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CEO （ SUS ）
    I
    CES
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE （ SAT ）
    *h
    FE
    *h
    FE
    f
    T
    COB
    分钟。
    80
    -
    -
    -
    -
    60
    40
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    0.3
    1.0
    -
    -
    50
    130
    马克斯。
    -
    10
    50
    0.6
    1.5
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    µA
    µA
    V
    V
    -
    -
    兆赫
    pF
    规格。编号： C606F3
    发行日期：
    2005.11.24
    修订日期： 2005.11.30
    页页次： 2/6
    测试条件
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =0
    V
    CE
    =80V, V
    BE
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 8A ，我
    B
    =0.4A
    I
    C
    = 8A ，我
    B
    =0.8A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =2A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =4A
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 500毫安， F = 20MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤380µs,
    值班Cycle≤2 ％
    订购信息
    设备
    BTN3501F3
    包
    TO-263
    （无铅）
    航运
    800个/带卷&
    记号
    N3501
    特性曲线
    接地发射极输出特性
    2500
    集电极电流IC --- （MA ）
    集电极电流IC --- （MA ）
    5000
    10mA
    8mA
    4500
    4000
    3500
    3000
    2500
    2000
    1500
    1000
    500
    0
    15mA
    10mA
    5mA
    IB=0mA
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    25mA
    20mA
    接地发射极输出特性
    2000
    1500
    1000
    500
    0
    0
    6mA
    4mA
    2mA
    IB=0mA
    2
    4
    集电极到发射极电压VCE --- （V ）
    6
    集电极到发射极电压VCE --- （V ）
    BTN3501F3
    CYStek产品规格

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