BTN3501J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTN3501J3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 164 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

电流增益VS集电极电流

1000

饱和电压--- （MV ）

VCE = 5V

规格。编号： C606J3

发行日期：

2003.10.07

修订日期： 2004年4月12日

页页次： 3/4

饱和电压与集电极电流

10000

CE （ SAT ）

1000

IC = 20IB

IC = 50IB

电流增益--- ħ

100

VCE = 2V

VCE = 1V

100

IC =单元10ib

100

1000

10000

集电极电流---我

（MA ）

100

1000

10000

集电极电流---我

（MA ）

饱和电压与集电极电流

10000

功耗--- P

(W)

饱和电压--- （MV ）

VCE （ SAT ） @ IC =单元10ib

功率降额曲线

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

0.25

1000

100

1000

10000

集电极电流---我

（MA ）

100

150

200

环境温度--- T

(℃)

功率降额曲线

功耗--- P

(W)

100

150

外壳温度--- T

(℃)

200

BTN3501J3

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