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BTD2150L3 参数 Datasheet PDF下载

BTD2150L3图片预览
型号: BTD2150L3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 173 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
f
T
COB
分钟。
40
30
5
-
-
-
-
52
82
50
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
90
45
马克斯。
-
-
-
100
100
0.5
1.5
-
560
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
-
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C848L3
发行日期: 2004年10月7日
修订日期:二二○四年十一月十五日
页页次: 2/4
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 2V ,我
C
=20mA
V
CE
= 2V ,我
C
=0.1A
V
CE
= 3V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380µs,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
2
范围
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
特性曲线
接地发射极输出特性
140
集电极电流IC --- (MA )
接地发射极输出特性
700
2.5mA
2mA
1.5mA
1mA
500uA
IB=0uA
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
400uA
300uA
200uA
100uA
IB=0uA
集电极电流IC --- (MA )
120
500uA
600
500
400
300
200
100
0
5
6
0
1
2
3
4
5
6
集电极到发射极电压VCE --- (V )
集电极到发射极电压VCE --- (V )
BTD2150L3
CYStek产品规格