BTD2150AD3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD2150AD3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 175 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C848D3

发行日期： 2004年7月6日

修订日期： 2005年4月20日

页页次： 1/4

BTD2150AD3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = 0.25 V（典型值），在我

/ I

= 2A / 200mA可

•

出色的电流增益特性

•

补充BTB1424AD3

•

无铅封装

符号

BTD2150AD3

概要

TO-126ML

B：基本

C：收藏家

E：发射器

EC B

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功率耗散（T

=25℃)

功率耗散（T

=25℃)

结温

储存温度

注：脉冲测试，脉冲width≤380μs ，值班cycle≤2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

（注）

150

-55~+150

单位

°C

BTD2150AD3

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