BTD2118LJ3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD2118LJ3
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内容描述：	CYStech电子股份有限公司 [CYStech Electronics Corp.]
分类和应用：	电子
文件页数/大小：	5 页 / 177 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C850J3

发行日期： 2004年2月27日

修订日期： 2005年10月4日

页页次： 1/4

BTD2118LJ3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = 0.25 V（典型值），在我

/ I

= 3A / 0.1A

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTB1412LJ3

•

无铅封装

符号

BTD2118LJ3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

结温

储存温度

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

=25℃)

TSTG

范围

（注1 ）

150

-55~+150

单位

°C

BTD2118LJ3

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