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    BTD1816I3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD1816I3图片预览
    型号： BTD1816I3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 233 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD1816I3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD1816I3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD1816I3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTD1816I3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTD1816I3的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    低VCESAT NPN外延平面晶体管
    规格。编号： C821I3
    发行日期： 2005年10月5日
    修订日期： 2009.02.04
    页页次： 1/6
    BTD1816I3
    特点
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压
    •
    高速开关
    •
    大电流能力
    •
    h的线性度好
    FE
    •
    高F
    T
    •
    符合RoHS标准的封装
    BV
    首席执行官
    I
    C
    R
    CESAT
    100V
    4A
    50mΩ
    应用
    •
    适用于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，以及其他高电流开关应用。
    符号
    BTD1816I3
    概要
    TO-251
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    B权证
    B C
    BTD1816I3
    CYStek产品规格

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