BTD1864I3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD1864I3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 158 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C848I3

发行日期： 2003年4月18日

修订日期： 2004.06.30

页页次： 1/4

BTD1864I3

特点

•

低V

（SAT）

•

出色的电流增益特性

•

补充BTB1243I3

符号

BTD1864I3

概要

TO-251

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B CCE

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注意：

*1.

单脉冲Pw = 10ms的

符号

CBO

CES

首席执行官

EBO

（DC）的

（脉冲）

PD （T

=25℃)

PD （T

=25℃)

TSTG

范围

7.5

150

-55~+150

单位

°C

BTD1864I3

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