BTD1862I3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD1862I3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 144 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

电流增益VS集电极电流

1000

VCE=5V

10000

VCE （ SAT ）

规格。编号： C842I3

发行日期： 2003年7月2日

修订日期：

页页次： 3/4

饱和电压与集电极电流

饱和电压--- （MV ）

电流增益HFE ---

1000

100

VCE=3V

100

IC=40IB

VCE=1V

IC=10IB

IC=20IB

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

饱和电压与集电极电流

10000

VBE （ SAT ） @

IC=10IB

1.2

功率降额曲线

功耗--- PD （ W）

饱和电压--- （MV ）

0.8

0.6

0.4

0.2

1000

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

100

150

环境温度--- TA （ ℃ ）

200

功率降额曲线

功耗--- PD （ W）

100

150

200

外壳温度--- TC （ ℃ ）

BTD1862I3

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