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    BTD1857AT3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD1857AT3图片预览
    型号： BTD1857AT3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 162 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD1857AT3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD1857AT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD1857AT3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    特性曲线
    电流增益VS集电极电流
    1000
    VCE=5V
    Tj=125℃
    规格。编号： C855T3
    发行日期：二○○四年十二月十五日
    修订日期：
    页页次： 3/4
    饱和电压与集电极电流
    1000
    VCE(SAT)@IC=10IB
    100
    Tj=75℃
    Tj=25℃
    饱和电压--- （MV ）
    电流增益HFE ---
    100
    Tj=125℃
    Tj=75℃
    Tj=25℃
    10
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    10
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    饱和电压与集电极电流
    1000
    Tj=25℃
    在电压随集电极电流
    1000
    Tj=25℃
    饱和电压--- （MV ）
    Tj=125℃
    Tj=75℃
    对电压--- （MV ）
    Tj=125℃
    Tj=75℃
    VBE(SAT)@IC=10IB
    VBE(ON)@VCE=5V
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    功率降额曲线
    1.2
    功耗--- PD （ W）
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    环境温度--- TA （ ℃ ）
    BTD1857AT3
    功率降额曲线
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    外壳温度--- TC （ ℃ ）
    CYStek产品规格
    功耗--- PD （ W）

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