BTD1816J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD1816J3
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 170 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特征

电流增益VS集电极电流

1000

VCE=5V

规格。编号： C821J3

发行日期： 2005年3月29日

修订日期： 2005年4月15日

页页次： 3/5

饱和电压与集电极电流

10000

VCE （ SAT ）

饱和电压--- （MV ）

电流增益HFE ---

1000

IC=20IB

IC=50IB

IC=100IB

100

VCE=2V

VCE=1V

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

饱和电压与集电极电流

10000

饱和电压--- （MV ）

1000

在Vottage VS集电极电流

VBE （ SAT ） @ IC =单元10ib

对电压--- （MV ）

VBE(ON)@VCE=5V

1000

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

接地发射极输出特性

3.5

IB=8mA

接地发射极输出特性

IB = 80毫安IB = 90毫安IB = 40毫安

IB=100mA

IB=70mA

IB=50mA

IB=30mA

IB=20mA

IB=10mA

IB=7mA

IB=5mA

IB=2mA

IB=0mA

集电极电流IC --- （A ）

IB=0mA

IB=60mA

2.5

1.5

0.5

IB=5mA

IB=1mA

集电极 - 发射极电压VCE --- （V ）

BTD1816J3

CYStek产品规格

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案