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BTC1510J3 参数 Datasheet PDF下载

BTC1510J3图片预览
型号: BTC1510J3
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 221 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
注: * 1 。单脉冲Pw = 100毫秒
规格。编号: C652J3
发行日期: 2003年5月16日
修订日期: 2009.02.04
页页次: 2/7
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(DC)的
I
C
(脉冲)
PD (T
A
=25℃)
PD (T
C
=25℃)
Tj
TSTG
范围
150
150
5
10
15
1.75
20
150
-55~+150
单位
V
V
V
*1
A
W
°C
°C
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
CE ( SAT )
3
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
1
*V
BE(上)
2
*V
FEC
*h
FE
1
*h
FE
2
分钟。
150
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
100
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
200
200
2
1.5
3
2
2
2.8
4.5
3
20
-
单位
V
V
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
V
V
K
-
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CE
= 150V ,我
E
=0
V
CB
= 150V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 5A ,我
B
=10mA
I
C
= 10A ,我
B
=100mA
I
C
= 5A ,我
B
=2.5mA
I
C
= 5A ,我
B
=5mA
V
CE
= 3V ,我
C
=5A
V
CE
= 3V ,我
C
=10A
I
C
=5A
V
CE
= 3V ,我
C
=5A
V
CE
= 3V ,我
C
=10A
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380μs,
值班Cycle≤2 %
订购信息
设备
BTC1510J3
TO-252
(符合RoHS )
航运
2500个/带卷&
记号
C1510
BTC1510J3
CYStek产品规格