BTB1580M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1580M3
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内容描述：	PNP外延平面晶体管 [PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 141 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C655M3

发行日期： 2004年3月18日

修订日期： 2006年8月28日

页页次： 1/5

BTB1580M3

描述

该BTB1580M3是PNP达林顿晶体管，设计用于通用放大器和低使用

高速开关应用。无铅封装工艺采用。

等效电路

BTB1580M3

≒6K

≒

概要

SOT-89

≒

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

符号

CBO

首席执行官

EBO

范围

-100

-5

-4

-6

（注1 ）

0.6

（注2 ）

（注3）

208

125

（注2 ）

62.5

（注3）

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

热阻，结到环境

结温

储存温度

θJA

TSTG

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

2.当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10 ×1毫米。

3.当安装在陶瓷板面积测量40 ×40× 1毫米。

BTB1580M3

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