BTB1580J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1580J3
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内容描述：	PNP外延平面晶体管 [PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 243 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C655J3

发行日期： 2008.07.25

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/6

BTB1580J3

描述

首席执行官

CESAT

-120V

-4A

600mΩ

该BTB1580J3是PNP达林顿晶体管，设计用于通用放大器和低使用

高速开关应用。无铅封装工艺采用。

等效电路

BTB1580J3

≒6K

≒

概要

TO-252

≒

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功率耗散（T

=25℃)

功率耗散（T

=25℃)

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

结温

储存温度

注：单脉冲PW ≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

θJC

TSTG

范围

-120

-5

-4

-6

1.5

83.3

6.25

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTB1580J3

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