BTB1386M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1386M3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 172 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

电流增益VS集电极电流

1000

饱和电压--- （MV ）

VCE=2V

规格。编号： C815M3

发行日期： 2005年3月25日

修订日期：二〇〇五年十月二十〇日

页页次： 3/5

饱和电压与集电极电流

10000

VCEsat晶体管

1000

IC=100IB

IC=40IB

IC=50IB

电流增益HFE ---

100

VCE=1V

100

IC=30IB

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

饱和电压与集电极电流

10000

饱和电压--- （MV ）

VBESAT@IC=10IB

输出特性

集电极电流IC --- （A ）

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

IB=20mA

1000

IB=10mA

IB=6mA

IB=4mA

IB=2mA

IB=0

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

集电极 - 发射极电压VCE --- （V ）

输出特性

IB=50mA

功率降额曲线

2.5

功耗--- PD （ W）

集电极电流IC --- （A ）

IB=25mA

IB=20mA

IB=15mA

IB=10mA

IB=5mA

IB=0

见注2第1页

1.5

0.5

集电极 - 发射极电压VCE --- （V ）

100

150

环境温度--- TA （ ℃ ）

200

BTB1386M3

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