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BTB1197N3 参数 Datasheet PDF下载

BTB1197N3图片预览
型号: BTB1197N3
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内容描述: 低饱和PNP外延平面晶体管 [Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 265 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
功耗
热阻,结到环境
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
R
θJA
Tj
TSTG
规格。编号: C314N3
发行日期: 2005年4月20日
修订日期:
页页次: 2月5日
范围
-50
-32
-5
-1
-2
310
(注1 )
500
(注2 )
403
(注1 )
250
(注2 )
-55~+150
-55~+150
单位
V
V
V
A
mW
° C / W
°C
°C
注意: 1.Device安装在FR-4印刷电路板以最小的垫
2.Device安装在FR- 4 PCB板4.5 “ × 5 ”区域,安装垫片0.02平方英寸2盎司铜
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
CE ( SAT )
3
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
f
T
COB
分钟。
-40
-32
-5
-
-
-
-
-
-
-
180
100
80
30
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
12
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-0.25
-0.30
-0.65
-1.2
-1.1
420
-
-
-
-
25
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-50µA
I
C
=-1mA
I
E
=-50µA
V
CB
=-30V
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
V
CE
= -3V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
V
CE
= -2V ,我
C
=-2A
V
CE
= -5V ,我
C
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380µs,
值班Cycle≤2 %
BTB1197N3
CYStek产品规格