BTB1184J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1184J3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 170 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C817J3

发行日期： 2003年4月18日

修订日期： 2005年10月4日

页页次： 1/5

BTB1184J3

特点

•

低V

（SAT）

•

出色的电流增益特性

•

补充BTD1760J3

•

无铅封装

符号

BTB1184J3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）

功率耗散（T

=25℃)

功率耗散（T

=25℃)

结温

储存温度

注： * 1

单脉冲Pw = 10ms的

符号

CBO

首席执行官

EBO

PD （T

=25℃)

PD （T

=25℃)

TSTG

范围

-50

-6

-3

-7

150

-55~+150

单位

°C

* 2 。印刷电路板， 1.7毫米厚，集电铜镀10毫米* 10mm或10mm大。

BTB1184J3

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