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BTA1952J3_09 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTA1952J3_09
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 232 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
推荐波峰焊条件
产品
无铅器件
峰值温度
260 +0/-5
°C
规格。编号: C601J3
发行日期: 2004年5月17日
修订日期: 2009.02.04
页页次: 5/6
焊接时间
5 + 1 / -1秒
红外回流焊推荐温度曲线
廓特征
平均升温速率
( Tsmax至TP)
预热
¡温度
敏(T
S
分)
¡温度
最大(T
S
MAX )
- 时间( TS
到TS
最大
)
时间保持高于:
¡温度
(T
L
)
时间(t
L
)
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(Tp )
倾斜下降率
25时
°C
峰值温度
的Sn -Pb共晶组件
3 ° C /秒。
100°C
150°C
60-120秒
183°C
60-150秒
240 +0/-5
°C
10-30秒
6 ° C /秒。
6分钟最多。
无铅封装
3 ° C /秒。
150°C
200°C
60-180秒
217°C
60-150秒
260 +0/-5
°C
20-40秒
6 ° C /秒。
最多8分钟。
BTA1952J3
CYStek产品规格