1N5819 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5819
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内容描述：	1.0Amp硅肖特基势垒整流器 [1.0Amp Silicon Schottky Barrier Rectifiers]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	3 页 / 137 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

正向电流降额曲线

1.2

峰值正向浪涌电流--- IFSM （ A）

100

150

规格。编号： C331LB

发行日期： 2004年7月5日

修订日期：

页页次： 2/3

最大非重复正向浪涌电流

平均正向电流--- IO（ A）

0.8

0.6

0.4

0.2

环境温度--- TA （ ℃ ）

转发电流与正向电压

单相半波

60HZ ，电阻或电感

负载

0.375" （ 0.95毫米）引线长度

TJ = 25 ℃ ， 8.3ms单

半正弦波

JEDEC的方法

100

循环次数在60Hz

结电容VS反向电压

350

100

1N5817

1N5818-5819

结电容--- CJ （PF ）

300

250

200

150

100

正向电流 - 如果（ A）

0.1

TJ = 25 ℃，脉搏

width=300μs

1 ％占空比

0.01

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

正向电压VF --- （V ）

反向漏电流与反向电压

100

反向漏电流IR --- （MA ）

0.01

0.1

100

反向电压VR --- （V ）

Tj=75℃

0.1

Tj=25℃

0.01

100

120

140

百分比额定峰值

反向电压--- （％）

1N581XLB

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