欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BTC2383K3 参数 Datasheet PDF下载

BTC2383K3图片预览
型号: BTC2383K3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 373 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
 浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BTC2383K3的Datasheet PDF文件第8页  
Spec. No. : C625K3  
Issued Date : 2014.04.17  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/8  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Collector Current(Pulsed)(Note 1)  
Base Current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
200  
160  
6
1
3
A
0.5  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature and Storage Range  
PD  
900  
139  
-55~+150  
mW  
RθJA  
Tj ; Tstg  
°C/W  
°C  
Note 1: Single pulse, Pw300μs, Duty Cycle2%.  
Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
200  
160  
6
-
-
-
-
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
270  
210  
7.4  
15  
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
mV  
Ω
V
V
-
MHz  
pF  
IC=100μA  
IC=10mA  
IE=100μA  
VCB=200V  
VEB=6V  
100  
100  
500  
1
1.2  
0.75  
320  
-
IEBO  
2
VCE(sat)  
RCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
*
*
*
*
*
200  
0.4  
0.9  
0.62  
-
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=5V, IC=5mA  
VCE=5V, IC=100mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0A,f=1MHz  
-
0.45  
160  
100  
-
fT  
Cob  
180  
6.2  
20  
*Pulse Test: Pulse Width 300μs, Duty Cycle2%  
BTC2383K3  
CYStek Product Specification