W320-04
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电源电压................................................ ..- 0.5〜 + 7.0V
输入电压.............................................. -0.5 V到V
DD
+0.5
储存温度（无冷凝） .... -65 ° C至+ 150°C
马克斯。焊接温度（ 10秒） ...................... + 260℃
结温............................................... + 150℃
封装功耗............................................... 1Ω
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ............................ > 2000V
工作条件
[8]
在其电气参数都保证
参数
V
DD_REF
, V
DD_PCI
,V
DD_Core
,
V
DD_3V66,
V
DD_CPU ，
V
DD_48兆赫
T
A
C
in
C
XTAL
C
L
f
（ REF ）
描述
3.3V电源电压
48 - MHz电源电压
工作温度，环境
输入引脚电容
XTAL引脚电容
马克斯。电容负载
USBCLK ， REF
PCICLK ， 3V66
基准频率振荡器标称值
14.318
分钟。
3.135
2.85
0
马克斯。
3.465
3.465
70
5
22.5
20
30
14.318
单位
V
V
°C
pF
pF
pF
兆赫
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OH
描述
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入高电流
输入低电平电流
高电平输出电流
除了水晶垫
USB ，楼盘， 3V66
PCI
USB ，楼盘， 3V66
PCI
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
中央处理器
对于我
OH
= 6 * IREF配置
REF ， DOT ， USB
3V66 ， DOT ， PCI ，楼盘
I
OL
低电平输出电流
REF ， DOT ， USB
3V66 ， PCI ，楼盘
I
OZ
I
DD3
I
DDPD3
I
DDPD3
输出漏电流
3.3V关断电流
3.3V关断电流
三态
VDD_CORE / VDD3.3 = 3.465V和@ IREF = 2.32毫安
VDD_CORE / VDD3.3 = 3.465V和@ IREF = 5.0毫安
X1型，V
OH
= 0.65V
X1型，V
OH
= 0.74V
类型3，V
OH
= 1.00V
类型3，V
OH
= 3.135V
5型，V
OH
= 1.00V
5型，V
OH
= 3.135V
类型3，V
OL
= 1.95V
类型3，V
OL
= 0.4V
5型，V
OL
= 1.95 V
5型，V
OL
= 0.4V
3.3V电源电流VDD_CORE / VDD3.3 = 3.465V ，女
中央处理器
= 133 MHz的
30
38
10
360
25
45
mA
mA
mA
mA
29
27
–33
–33
mA
–29
–23
I
OH
= -1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
I
OL
= 1毫安
–5
–5
12.9
14.9
2.4
2.4
0.4
0.55
5
5
测试条件
除了水晶垫。阈值电压的晶体片= V
DD
/2
分钟。马克斯。单位
2.0
0.8
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
注意：
8.对任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。电源排序不是必需的。
文件编号： 38-07010牧师* C
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
